我的学记|刘航宇的博客 - 天线设计
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items: HFSS软件笔记
items: 天线设计2-电磁学基础与线形天线
items: 天线设计-微带天线小型化技术
items: 天线设计1-基本参数
items: 基本微带贴片天线设计理论与尺寸算法
items: 【天线/射频】什么是回波损耗？什么是插入损耗？
items: 读懂史密斯圆图

HFSS软件笔记
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date: 2023-03-10T18:33:00+08:00
description: 摘要本文介绍了HFSS软件在电磁场仿真中的应用，包括边界条件、激励方式、求解类型、数据后处理等功能，并详细阐述了HFSS在优化设计、参数扫描、灵敏度分析和统计分析等方面的应用。关键词：HFSS, 电磁场仿真, 麦克斯韦方程, 边界条件, 激励方式{mtitle title="目录"/}一、HFSS中的边界条件（Boundaries）二、HFSS中的激励方式（Excitation）三、求解类型和求解设置四、HFSS中的变量和Optimetrics模块的使用五、HFSS的数据后处理六、天线问题的数据后处理﻿# HFSS软件学习笔记一、HFSS中的边界条件（Boundaries）边界条件定义了求解区域的边界以及不同物体交界处的电磁场特性，是求解麦克斯韦方程的基础。只有在假定场矢量是单值、有界、并且沿空间连续分布的前提下，微分形式的麦克斯韦方程组才是有效的；而在求解区域的边界、不同介质的交界处和场源处，场矢量是不连续的，那么场的导数也就失去了意义。边界条件就是定义跨越不连续边界处的电磁场的特性，因此，正确地理解、定义并设置边界条件，是正确使用HFSS仿真分析电磁场场特性的前提。边界条件的类型：理想导体边界（Perfect E）电场矢量垂直于物体表面，有两种边界被自动设为理想导体边界条件： 1、任何与背景相关联的物体表面将被自动定义为理想导体边界，并命名为outer边界 2、材料设为PEC（理想电导体）的物体表面被自动定义为理想导体边界，并命名为smental理想磁边界/自然边界（Perfect H）电场矢量与物体表面相切，磁场矢量与物体表面垂直。 自然边界（Natural）：当理想导体边界和理想磁边界出现交叠时，理想磁边界也称为自然边界 注意：在理想导体边界上叠加理想磁边界将去掉理想导体边界的特性，相当于在理想导体表面开个口，允许电场穿过。有限导体边界（Finite Conductivity）有耗导体/非理性导体边界条件，电场垂直于物体表面，在电磁波的传播方向上电场会愈来愈小 用户需要设置的参数：导电率和导磁率 注意：当物体的材料设置为非理想导体（如铜、铝等金属材料）时，其表面自动定义为有限导体边界条件。辐射边界（Radiation）用于模拟开放的自由空间，模拟波辐射到空间的无限远处的情况，常用于天线问题的分析。当结构中包含辐射边界条件时，HFSS会自动计算结构的远区场。（使用Perfect H边界条件模拟开放空间时，不会计算远区场） 辐射边界条件是自由空间的近似，这种近似的准确程度取决于波的传播方向与辐射边界之间的角度，以及辐射源与边界之间的距离。辐射边界在各个方向上距离辐射体一般不小于1/4个波长。对称边界（Symmetry）模拟理想电壁或理想磁壁对称面，应用对称边界可以构造结构时仅构造一部分，减小结构的尺寸和设计的复杂性，缩短计算时间。 定义对称平面时，需要遵循以下原则： 1、对称平面必须暴露在背景中 2、对称面必须定义在平面表面上，不能定义在曲面上 3、在一个问题上最多只能定义三个正交对称面 决定对称面的类型： 1、如果电场垂直于对称面且对称，使用理想电壁对称面 2、如果磁场垂直于对称面且对称，使用理想磁壁对称面 此外使用对称边界条件需要设置阻抗乘法器： 1、理想电壁对称面将结构分为两部分时，只有一半的电压值和一半的能量被计算，由Zpu=U*U/P计算出的阻抗也只有真实值的一半，所以需要定义2倍的阻抗乘法器。 2、理想磁壁对称面将结构分为两部分时，只有一半的能量被计算，而电压保持不变，由Zpu=U*U/P计算出的阻抗是真实值的2倍，所以需要定义0.5倍的阻抗乘法器。在这里插入图片描述阻抗边界（Impedance）用于模拟已知阻抗的边界表面，如薄膜电阻表面；表面的阻抗Zs=Rs+jXs。 阻抗的计算： number of "Square"=Length(in direction of current flow)/Width Impedance per Square=Desired Lumped Impedance/number of square集总RLC边界（Lumped RLC）类似于阻抗边界条件，利用用户提供的R、L、C值计算出对应的阻抗值 与阻抗边界不同的是，集总RLC边界不需要提供以Ohms/Square为单位的电阻和电抗，而是要给出R、L和C的真实值；之后HFSS就能确定任意频率下集总RLC边界以Ohms/Square为单位的阻抗。分层阻抗边界条件（Layered Impedance）分层阻抗边界条件是用多层结构将物体表面模拟为一个阻抗表面，其效果与阻抗边界条件相同； 与阻抗边界条件不同的是，对于分层阻抗边界条件，HFSS是根据输入的分层结构数据和表面粗糙度来计算表面电阻和表面电抗的。 分层边界条件不支持快速扫频。无…

天线设计2-电磁学基础与线形天线
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date: 2023-03-08T18:00:16+08:00
description: 摘要本文介绍了天线设计中的电磁学基础，重点讲解了线形天线，特别是极小偶极子的辐射场特性，包括辐射电场、磁场、功率密度、辐射电阻等，并探讨了不同区域的辐射场分布和方向性。关键词：天线设计, 电磁学基础, 线形天线, 辐射场, 辐射电阻第三章 辐射积分与辅助函数求解辐射场的分析中，通常需要构造辅助函数来帮助求解。常见的辅助位函数为，磁矢量A- (也称为磁矢位)。远场辐射很多天线的辐射场使用球面坐标来表示会较为方便，其一般形式是重要公式线形天线 Linear Wire Antenna线形天线是最古老、最便宜、最简单、应用最广泛的天线。因此我们尝试从最小的天线结构和最简单的几何形状开始分析。我们以极小偶极子的辐射场特性为例，讲解辐射场的一般求解过程。极小偶极子 Infinitesimal Dipole极小偶极子对应于导线很短,很细，电流近似均匀分布的情况。求解辐射场这样我们就得到了极小偶极子的辐射电场和磁场。以上的分析在源以外的区域都是有效的。功率密度和辐射电阻利用前面计算的结果和坡印廷矢量的计算公式辐射场分布前面所推导的极小偶极子的电磁场的分布 在源以外的区域都是适用的，但在不同的区域，场的一些特性可能有所区别。近场 kr <<1中场 kr>1远场 kr>>1在远场时，径向的电场几乎为0。能流密度垂直于径向，以辐射波为主。从近场到远场的过渡动画： 动画方向性一般远场辐射特性的求解过程前面我们以极小偶极子为例，求解了极小偶极子的辐射特性。一般远场辐射特性的计算过程如下：指定电流或者磁流密度确定辅助场A确定远场的E和H计算(a)能流密度或(b)辐射强度计算辐射功率计算极化计算归一化的功率图计算辐射电阻和输入电阻有限长度偶极子极小偶极子是一种将电流分割成无数小电流源的近似，实际情况中，需要求解的往往是有限长度的偶极子。我们假设电流在导线上的分布是正弦形式的，电流密度可以写成：辐射电阻根据前面辐射功率和辐射电阻的关系，可以得到辐射电抗输入电阻输入端看到的电阻与天线的辐射电阻未必是相同的。因为导线上的电流分布发生了变化。半波偶极子辐射阻抗辐射电阻：

天线设计-微带天线小型化技术
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date: 2023-03-07T15:07:00+08:00
description: 摘要本文探讨了微带天线小型化技术，包括提高介质基板介电常数、曲流技术、短路加载技术、附加有源网络、应用电磁带隙结构和左手介质等方法，以实现天线小型化，满足无线电子产品小型化需求。关键词：天线设计, 微带天线, 小型化技术, 介质基板, 曲流技术天线作为无线电通信的桥梁，是实现无线通信的关键。随着无线通信技术和电子技术的发展，日常生活中的无线电子产品变得越来越小，越来越薄，越来越轻，而功能变得越来越强大。天线的小型化跟不上电子设备小型化的步伐，经常成为无线电子产品体积缩小的瓶颈。理论上讲，天线的工作波长与天线尺寸成正比。换句话说，要想降低天线的工作频率就要增大天线的尺寸，这就使得天线的小型化成为了研究的难点，实现微带天线小型化设计的主要手段有:1)提高介质基板的介电常数;2)曲流技术;3)短路加载技术;4)附加有源网络;5)应用用电磁带隙结构;6)应用左手介质;{mtitle title="目录"/}1、提高介质基板的介电常数曲流技术贴片表面开槽接地板开槽短路加载技术附加有源网络应用用电磁带隙结构应用左手介质1、提高介质基板的介电常数曲流技术我们知道增加天线的有效长度可以降低天线的谐振频率。曲流技术就是我们常说的表面开槽技术，它的实质就是增加了天线的有效长度，从而达到天线小型化的目的。贴片表面开槽图(3-1)为表面开槽后的辐射贴片电流路径分布。从图中我们可以看出辐射贴片的电流路径在开槽处发生弯曲，有效地延长了电流路径，相当于天线的有效长度变大了。从而在不改变天线几何尺寸的情况下，降低了天线的谐振频率。微带天线的辐射贴片表面上，各个共振模式的电流分布均不相同。如果在相同的共振模式下开槽，就会改变原有的共振模式的电流路径，延长电流路径,使得天线的共振波长变大。所所开凹槽的长度会影响天线的谐振频率，凹槽越长则天线的谐振频率越低。不过，所开凹槽的宽度不宜过大，太大会降低天线的辐射性能。跟采用高介质常数基底的方法一样，辐射贴片表面开槽也有其弊端。表面开槽后天线会.产生垂直于主激发面的额外电流，从而增加了天线的交叉极化，使得天线的辐射效率降低。除此之外，开槽后天线的相对辐射面积就减小了，从而影响到天线的增益。接地板开槽短路加载技术基本的矩形微带天线的为工作波长的二分之一，基本谐振模式为TM。,其电流在两个开路端之间成驻波分布。所以在两个开路端之间有--条零电位线。如果我们在此零电位线处让其接地，将微带天线的另一半舍去，就可以在开路和短路之间形成驻波分布，而不改变天线的内部场分布。这样一来天线的尺寸就减小 了一半，实现了天线小型化的目的。短路加载微带天线的方法有很多，包括短路面加载，短路片加载和短路探针加载。短路加载的数量，每个短路加载的面积以及天线的高度决定了短路加载的效果。图(3-3)分别给出了不同加载方式的示意图。图(3-3a)是短路面加载的微带天线，它的尺寸缩小到了四分之一工作波长。所以此微带天线的尺寸比半波结构的微带天线尺寸减小了一-般。图(3-3a)所示的短路片加载微带天线和图(3-3b)所示的短路探针微带天线的结构比较相似，但实际上它们加载的结构带宽不一样。附加有源网络由于天线的辐射电阻会随着天线尺寸的减小而减小，所以天线尺寸的减小会降低天线的效率。除此之外，天线的带宽也常常因为天线尺寸的减小而降低。而天线性能的恶化会影响整个无线收发系统的性能，甚至使系统无法正常工作。有源网络的放大作用和阻抗补偿技术可以用来弥补由天线尺寸减小而引起的天线性能下降的问题有源天线具有以下优点:1)频带宽;2)高增益;3)容易实现阻抗匹配;.但是有源网络会影响天线的互易性。应用用电磁带隙结构电磁带隙结构(Electromagnetic B and-Gap)是周期结构的统称，包括光子带隙(Photonic Band Gap, PB)、频率选择表面(Frequency Select Surface, FS)以 及光子晶体(photonic Crystal,PC)等周期结构。电磁波与周期结构互相作用的时候，会出现--些如频率禁带、通带以及频率间隙等特性。电磁带隙结构是微带辐射贴片的下方及周围、天线的基片内钻出或刻蚀出一系列间隔非常近的小孔(≤h/10)，通过改变孔间距和孔的大小来改变有效介电常数。EBG 是人造的周期性结构，在此种结构中，一-定范围内的电磁波无法传播。将电磁带隙结构附加在天线辐射贴片的背面，可以抑制天线的表面波，从而实现天线小型化的目的。目前，比较常见的电磁带隙结构有:1)基底打孔型;2)高阻抗表面型;3)地面腐蚀型;4)夹层式结构;5)共面紧凑型;应用左手介质如图(3-5)所示，将左手介质和右手介质相叠加，当电磁波在当中传播时，由于介质两边相位相反，左手介质会对右手介质进行相位补偿，相位变化会完全抵消。这样，由辐射贴片、右手介质、左手介质…

天线设计1-基本参数
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date: 2023-03-03T15:52:38+08:00
description: 摘要本文介绍了天线设计的基本参数和辐射机理，包括单根导线、传输线和偶极子的辐射原理，以及天线分析方法。同时，讨论了天线的基本参数，如辐射图、主平面、场区、波束宽度、方向性、波束立体角、极化和输入阻抗等。关键词：天线设计, 辐射机理, 电磁波传播, 天线参数, 传输线第一章 导言天线类型 辐射机理电磁波是如何产生，并最终与天线“分离”而在自由空间中传播的呢？我们讨论以下几种辐射源的辐射原理。 单根导线 这一方程表示了电流和电荷之间的关系，也是电磁辐射的基本条件：要产生电磁辐射，需要有电流或电荷的加速(或减速)。要产生电荷的加速或减速，需要导线弯曲、不连续、或者端接。就如同水流一样，当管道宽度变化，流速发生变化，在管道宽度变化的区域，就有水流的加速/减速。为了定性的的了解辐射机理。考虑一个脉冲源连接到一个导线，导线与GND存在RC寄生参数，到导线通电时，导体中的电子被加速；在终端的电子被减速，即反射；从而在导线的两端和导线上产生辐射场。在这个过程中，电荷加速是外部源造成的，电场使电荷运动；电荷减速，则于是由于感应场有关的力造成的，例如导线两端的电荷积累。因此激励电场引起电荷加速，而导线阻抗不连续导致辐射的产生。 传输线 考虑一个电压源连接到图1.11(a)所示的两根导线上。导线间的交变电压使得电荷加速或减速，交变电场感应出交变的磁场，反之亦然，因此，从天线端产生了电磁波，并传播到自由空间中。结论：激发电场需要电荷，单维持电场不需要。（这就类似水波的产生） 偶极子 首先我们要接受电磁场传播的速度是有限的。两个偶极子在每T/2的时间内交换位置，每个T/2时间内，电场只能传播的距离。每次偶极子交换位置时，电场的极性发生了变化，因此传播的电场变成交变电场，产生交变磁场，从而形成了脱离源的电磁波。电流在细导线上的分布讨论天线的辐射场时，需要知道电流的分布。 分析方法 在过去，分析复杂天线问题通常用积分方程方法、几何衍射理论来求解。此类方法用于线型天线较为方便。然而当辐射系统为多个波长时，低频的方法计算效率不高，最近广为关注和应用的GTD/UTD方法，它是几何光学的拓展，通过引入衍射机制，克服了几何光学的局限性。有限差分时域是另一种在散射方面受到广泛关注的方法，现已应用到天线辐射问题。有限元是一种在解决天线问题中获得巨大成功的方法。遇到的挑战 目前仍有许多挑战和需要解决的问题，例如单片集成MIC技术和相控阵架构依然是最具挑战的问题。复杂问题的计算电磁学。创新的天线设计。多功能、多频带、超宽带、可重构天线等。第二章 天线的基本参数和FOM在描述天线性能前，需要定义一些参数，一些参数可能是相互关联的。书中的许多带引号的定义来源于 IEEE Standard Definitions of Terms for Antennas [IEEE Std 145-1993.Reaffirmed 2004(R2004)]Radiation Pattern 辐射图在天线研究中，通常用球面坐标来表示电磁场会较为方便，因此首先介绍球面坐标系辐射波瓣（radiation lobe）：以辐射强度较弱的区域为边界，将辐射图分割成几个区域。最大的辐射波瓣称为主瓣（major lobe），其他则为次瓣(minor lobe)。副瓣(side lobe)通常表示功率水平最高的次瓣。后瓣(back lobe)方向与主瓣方向相反的次瓣。各向同性、定向、全向天线其中全向天线是定向天线的特殊类型。主平面 对于线性极化的天线，通常用其主要平面图来描述其性能，包括：电场平面(E-plane)：包含最大电场矢量与最大辐射方向的平面。磁场平面(H-plane)：包含最大磁场矢量与最大辐射方向的平面。大多数天线的通常的做法是让至少一个电磁平面与几何平面重合。例如图2.5中，可以定义XOZ平面为电场的主平面，而XOY为磁场的主平面。 Field Regions 场区 天线周围空间可分成三个区域：图2.8显示了，从近场到远场时，场的形状随距离的典型变化趋势。在近场中，场更加分散，几乎均匀，只有很小的变化，随着距离到辐射近场区，图案变得圆滑，逐渐形成波瓣。在远场区，形成了类似花瓣的图案。 弧度和球面度 波束宽度 HPBW Half power beam width 半波束宽度FNBW First Null Beam width 第一组零点之间的宽度方向性 定义：在给定方向上的辐射强度与各项同性源的辐射强度之比。 波束立体角 波束立体角定义：假如辐射强度是恒定的，且等于最大值，流过某一个立体角的功率等于天线辐射功率，那么该立体角称为波束立体角。传导效率和介电效率通常很难计算，可以通过实验测量，但也很难区分出二者，因此把两项合并成传导-介电效率极化 辐射波的极化定义为：沿着传播方向观察电场的矢量箭头，随时…

基本微带贴片天线设计理论与尺寸算法
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date: 2022-11-29T11:50:00+08:00
description: 摘要本文介绍了基本微带贴片天线的设计理论与尺寸算法，包括贴片形式、馈电方式、尺寸推导和计算公式，并提供了相应的Matlab代码实现。关键词：微带贴片天线, 尺寸算法, 微带线馈电, 1/4波长变换器, 915MHz理论贴片形式馈电方式尺寸推导尺寸算法%微带天线尺寸算法 c=3e8; f=0.915e9 %频率915MHZ er=2.2;%板材介电常数 h=1.575e-3;%板材厚度 w=c/(2*f)*sqrt(2/(er+1)) ereff=(er+1)/2+(er-1)/2*(1+12*h/w)^(-0.5); dL=(0.412*(ereff+0.3)*(w/h+0.264)*h)/((ereff-0.258)*(w/h+0.8)); Leff=c/(2*f*sqrt(ereff)); L=Leff-2*dL erl=(er+1)/2+(er-1)/2*(1+12*h/L)^(-0.5); Xf=L/2-L/(2*sqrt(erl)) Lgnd=L+6*h; Wgnd=w+6*h;微带线馈电1/4波长变换器计算推导尺寸算法%微带天线尺寸算法 clear all; c=3e8; f=0.915e9 %频率915MHZ er=2.2;%板材介电常数 h=1.575e-3;%板材厚度 w=c/(2*f)*sqrt(2/(er+1)) ereff=(er+1)/2+(er-1)/2*(1+12*h/w)^(-0.5); dL=(0.412*(ereff+0.3)*(w/h+0.264)*h)/((ereff-0.258)*(w/h+0.8)); Leff=c/(2*f*sqrt(ereff)); L=Leff-2*dL erl=(er+1)/2+(er-1)/2*(1+12*h/L)^(-0.5); Xf=L/2-L/(2*sqrt(erl)) Lgnd=L+6*h; Wgnd=w+6*h; %Microstrip Line feed lambda_0=c/f; if w<=lambda_0 G=w^2/(90*lambda_0^2); else G=w^2/(120*lambda_0^2); end Yin=2*G; Rin=1/Yin ZT0=sqrt(Rin*50)

【天线/射频】什么是回波损耗？什么是插入损耗？
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date: 2022-11-27T16:50:00+08:00
description: 摘要回波损耗（RL）指信号反射回源头的程度，插入损耗（IL）指信号在传输过程中因元件插入而导致的功率损耗。两者均影响信号质量，回波损耗越大越好，插入损耗越小越好。关键词：天线, 射频, 回波损耗, 插入损耗, 阻抗匹配一、前言什么是回波损耗？什么又是插入损耗？这个貌似很容易回答，回波损耗吗，就是Return Loss，缩写为RL，S11，插入损耗就是 Insertion Loss，IL，S21。确实没错，就是这么简单。但是为什么叫做回波呢？为什么又叫做插入呢？今天我们仔细掰扯掰扯。二、回波损耗回波损耗，又称为反射损耗。（ 越大越好 ）是电缆链路由于阻抗不匹配所产生的反射，是一对线自身的反射。不匹配主要发生在连接器的地方，但也可能发生于电缆中特性阻抗发生变化的地方，所以施工的质量是提高回波损耗的关键。回波损耗将引入信号的波动，返回的信号将被双工的千兆网误认为是收到的信号而产生混乱。回波损耗：return loss。回波损耗是表示信号反射性能的参数。回波损耗说明入射功率的一部分被反射回到信号源。例如，如果注入1mW (0dBm)功率给放大器其中10%被反射(反弹)回来，回波损耗就是-10dB。从数学角度看，回波损耗为-10 lg [(反射功率)/(入射功率)]。回波损耗通常在输入和输出都进行规定。三、插入损耗插入损耗：insertion loss。（ 越小越好 ）指在传输系 统的某处由于元件或器件的插入而发生的负载功率的损耗，它表示为该元件或器件插入前负载上所接收到的功率与插入后同一负载上所接收到的功率以分贝为单位的比值。1.插入损耗是指发射机与接收机之间，插入电缆或元件产生的信号损耗，通常指衰减。插入损耗以接收信号电平的对应分贝（dB）来表示。2.插入损耗多指功率方面的损失，衰减是指信号电压的幅度相对测量插入损耗的电路原信号幅度的变小。通道的插入损耗是指输出端口的输出光功率与输入端口输入光功率之比，以dB为单位。插入损耗与输入波长有关，也与开关状态有关。定义为：IL=-10log(Po/Pi)四、插入损耗和回波损耗系统介绍首先，我们拿到一个系统，就是上面这个黑盒子，当电磁波信号进入这个黑盒子时，我们通常不需要去关心电磁波在里面经历了什么。我们只要知道它出来是什么就行了。但是，当电磁波从外面进入这个黑盒子时，相当于从一个介质进入到另一个介质，在交界面上会有一部分电磁波被挡在外面，这部分被挡在外面的电磁波就被反射回去了，返回去的电磁波就是回波。而进去的这部分电磁波在通过这个黑盒子时，就必然会被这个黑家伙影响到，如果这家伙有一点点贪心，肚子里装了一点点的小电阻材料，那么就留一点点买路钱就够了，就去的电磁波在交完买路钱之后，大部分会传输出去，这个被劫走的一部分电磁波能量我们就认为被损失了，无论是回波还是黑盒子吃掉的都是电磁波能量时导致的能量的损耗，都是由于黑盒子插入进来导致的损耗，所以通常被称为插入损耗。如下图所示。所以我们知道，其实一个微波元器件的插入损耗是由两部分组成的：回波损耗和电阻损耗。回波损耗的这部分电磁波能量被端口的不匹配给反射回去了，并没有转化成热散出去，所以我们在射频系统设计和分析中，要提防着这部分回波倒灌会对系统带来的影响。通常这部分倒灌的能量不是很大，怎么计算呢？举个简单的例子，比如上图端口1输入的电磁波功率是1W，即30dBm,如果端口1 的回波损耗RL=20dB。那么反射回去的回波的功率就是：30dBm-20dB=10dBm，也就是有10mW的功率被反射回去了。如果端口1 输入的功率是1kW，即60dBm，那么反射回去的回波功率就有10W了。如果端口1的回波损耗只有10dB，那将会有100W的功率被反射回去。这也证明了匹配的端口阻抗匹配的重要性。还有就是，功率越大，我们系统所要求的回波损耗就越小，在一些小功率的产品中，比如手机，匹匹配有个10dB就足够了。但是在电视发射系统中，因为发射机的功率通常会有上千瓦，所以，回波损耗通常要求在26dB以下。注意，插入损耗的部分损耗也是有回波导致的啊，所以回波损耗越差，插入损耗就越大。在端口匹配良好的系统中，插入损耗主要是由器件的电阻性材料导致的，这些电阻性材料导致的损耗，会转化成热。就像我们在衰减器中介绍的一样。其实转化成热，有时候更让我们头疼。因为热这个东西太可怕了，几乎所有的电子器件都有一个可以正常工作的温度范围，当超过这个温度了之后，工作就不正常了。长期在高温环境下工作，器件老化速率会加快，更容易损坏。

读懂史密斯圆图
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date: 2022-10-11T00:05:00+08:00
description: 摘要史密斯圆图用于高频电路阻抗匹配，通过计算电容器、电感器参数和显示频率-阻抗特性。它将阻抗值表示为复数，并使用匹配点、等实部线和等虚部线进行匹配。软件如SmithV3.1可辅助进行阻抗匹配设计。关键词：Smith圆图, 阻抗匹配, 高频电路, 电容, 电感史密斯圆图能干啥用？史密斯圆图，就是做高频电路之间的阻抗匹配用的。所谓阻抗是电路对电的阻碍能力，它是个矢量，也就是说阻抗值是个复数。这里面既包括实部电阻成分一即与电力 "顶牛儿”的那部分阻力;也包括虚部电抗成分一就是把电力拉偏的那部分阻力。两者加一块,就叫阻抗。阻抗匹配，是电路之间连接的一-个基本要求，简单讲就是输入阻抗和输出阻抗大致相当，方向相反。如果阻抗不匹配呢?轻者电路工作效率低，重者.工作异常或直接烧毁。具体到高频电路来说，这些危害不仅都有，而且比数字电路、低频模拟电路上的危害要严重得多。那高频电路的阻抗匹配是啥标准呢?就是让输入端电阻和输出端电阻是纯阻性,而且最好等于509或752 。那原来阻抗不匹配，现在咋弄它就匹配了呢?就是在两个电路之间，接上电容、电感、传输线,微带线、变压器之类的东西。把阻抗值矫正到阻抗相等面来。史密斯圆图的主要用途，一是计算接到电路里的那些电容器、电感器的参数值的。二是用来显示某一电路的频率一阻抗特性的。史密斯圆图怎么用?史密斯圆图，它相当于一个地图，它上面每一个点， 都代表一个复数形式的阻抗值，而其圆心叫做匹配点，它代表了实部50om,虚部0om的理想阻抗，那就是我们要到达的地方。做阻抗匹配，就是规划一条从阻抗点走到匹配点的线路。然后呢?然后就是利用这些点位之间的差值做计算了。这个事儿我就不讲了。因为过去用纸本史密斯圆图才需要自己算，现在有很多专用软件能替我们做，不仅能算刚才我提到的那个匹配元件的电容量、电感量,还能算出谐振电路的Q值，驻波比，衰减量等等,这就用不着咱们算了，诸位知道这些概念是啥意思，就行了!至于具体怎么用史密斯圆图软件?怎么看这些数据?怎么评价匹配的效果?别着急，我们后边再聊。史密斯圆图第二节史密斯圆图该咋看?简言之,是看一线、两弧和两圆。我们说过，史密斯圆图上的每个点，都有实部值和虚部值，那么图上的线,其实也只有两种，一是等实部线，二是等虚部线。读史密斯圆图，就是先沿等虚部线,找到实部值，再沿着等实部线找到虚部值。那么一线和两弧，都是等虚部线;两圆，是等实部线!接下来我们就从一线讲起，说说史密斯圆图的刻度划分刻度值线一一根特殊的等虚部线史密斯圆图被一条名为电阻线的蓝色横线分成 上下两个半区，上半部分叫电感区， 那里所有点的虛部值都为正;下半部分叫电容区，那里所有点的虚部值都为负。而电阻线本身的虚部阻抗值不正不负，他上面每一个点的阻抗值均为0欧。所以电阻线是一根特殊的虚部线，它是我们查找实部值的一把尺子。电阻线上有三个点，最左侧的叫短路点，他表示实部值0欧姆,虚部值也为0欧姆的情况;最右侧的叫断路点，他表示实部值无穷大，虚部值也为0欧姆的情况;而中间点,也就是圆心那是匹配点，那里的阻值是“标准阻值”，一般情况下他是50欧姆。“三点” 是史密斯圆图的基点，也是我们校正天线分析仪的起点，一定记住。归一化处理但是请注意!虽然电阻线是一把测量实部阻值的尺子，但是这把尺子上标的不一定是实部阻值。纸本的史密斯圆图标注的是阻抗值/标准阻值的比值，这叫归-化处理，这个值叫归-化阻抗值。下图中的小红字标的是阻抗值，而大红字标的是归一化阻抗值9。咱们先说图.上的大红字，那就是归一化之后的阻抗值。如果我们是在纸本史密斯圆图上标图，那第一步应该把阻抗值转换成归一化阻抗值。以标准阻抗50欧姆为例。我们要找100欧姆的实部值，就去电阻线上找归一化阻抗值为100欧姆/50欧姆=2的点，而图上显示"0.2" 归一化阻抗值的地方，其实际阻抗值就是0.2*50欧姆= 10欧姆,而匹配点的归一化阻抗值永远为1,这是归一化阻抗标注法的一个识别标志。为什么要用归一化阻抗值标注刻度呢?因为很多时候，我们不是要把电路匹配到50欧姆上,而是要匹配到75欧姆或者300欧姆等阻抗上。请看下图，这是75欧姆标准电阻时，史密斯原图上的情况，其中电阻线下方写的红字是阻抗值。电阻线上方的写的红字是归一化阻抗值。第二套刻度一一导纳值和归一化导纳值等电阻线是一把度量实部值的尺子，它有阻抗值和归一化阻抗值和两种标注方法,其实在电脑版史密斯圆图的等电阻线上，还有一套刻度。就是用大绿字标注的归一化导纳值和用小绿字标注的导纳值。有人想问导纳值是啥?导是电阻值的倒数,纳是电抗值的倒数，导纳加一块就是导纳值，它是阻抗值的倒数，导纳值的单位是西门子，写作“S"，1S等于= 1000mS。给导纳值做归一化，也就是将导纳值除以0.02S标准导纳值(0.02S, 其实就是1/50欧姆)。这两种标法的值…