刘航宇发布的文章 - 第 16 页 - 我的学记|刘航宇的博客

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刘航宇(共311篇)

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【NPN/PNP三极管】放大电路饱和失真和截止失真的区别放大电路——NPN案例图片截止失真　　由晶体管截止造成的失真，称为截止失真。当Q点过低时，在输入信号负半周靠进峰值的某段时间内，晶体管b-e间电压总量小于其开启电压，此时，晶体管截止，因此，基极电流将产生底部失真。　　用图解法分析，晶体管的静态工作点设置较低时，由于输入信号的叠加有可能使叠加后的波形一部分进入截止区，这样就会出现截止失真。NPN型三极管共射极放大电路的截止失真的表现是输出电压的顶部出现削波，PNP型三极管的共射放大电路的截止失真是底部失真。图片饱和失真　　饱和失真，指的是晶体管因Q点过高，出现的失真。当Q点过高时，虽然基极动态电流为不失真的正弦波，但是由于输入信号正半周靠进峰值的某段时间内晶体管进入饱和区，导致集电极动态电流产生顶部失真，集电极电阻上的电压波形随之产生同样的失真。由于输出电压与集电极电阻上的电压变化相位相反，从而导致输出波形产生底部失真。图片实验中NPN放大电路饱和失真和截止失真的区分　　输入波形是正半周，输出波形是负半周，近峰值时，输出不再随输入波形变化，就是饱和失真；　　输入波形是负半周，输出波形是正半周，近峰值时，输出不再随输入波形变化，就是截止失真。　　三极管的输出和输入正好是反过来的，即反相输出。假设输入的是正弦波，静态工作点正好合适，即VQ=Vp-p/2（静态工作点电压是正弦波电压峰峰值的一半），那么当输入的波形是正半周时，输出电压波形正好跟负半周波形是一样的;当输入的波形是负半周时，输出电压波形正好跟正半周波形是一样的。如果VQ大于输入波形的峰峰值的一半，那么当输入的波形是正半周时，快到峰值时，三极管就会处于饱和状态，那么此时的输出就不再随输入变化了，出现了饱和失真;即输出得到的负半周正弦波波形就没有谷底了，我们称之为饱和失真。　　对于NPN单管共射放大电路，饱和失真就是输入信号的正半波超过了三极管的放大能力，造成失真，对应的输出波形就是输出波形底部失真，即输出时三极管进入饱和区，Q设置过高。因为饱和失真是输出端失真所以解决饱和失真的方法就是调低静态工作电流Ib（增大Rb），减小Rc，减小β。　　反之，当输入的波形是负半周时，快到谷值时，三极管就会处于截止状态，那么此时的输出就不再随输入变化了，出现了截止失真;即输出得到的正半周正弦波波形就没有峰值了，我们称之为截止失真。Q点设置过低造成的截止失真属于输入端失真，所以只能从输入端解决。解决方法有增大VBB，减小输入端电阻Rb。 PNP与NPN对比分析 NPN型：如果波形Uo顶部失真（变平），则属于截止失真Q小。底部失真代表饱和失真Q大。 PNP型：Uo顶部失真代表饱和失真Q大，底部失真是截止失真Q小。(Ube、Uce极性为-导致的) 截止失真Q小说明Ib太小，你可以通过减少Rb来增大Ib。如果是饱和失真Q大，说明Ib（Ic）太大，必须用增大Rb来减少失真。后面两点，对于NPN还是PNP都是适用的。截止失真是在输入时产生的，当Q点过低时，输入信号在负半周小于晶体管的开启电压，也就是小于UbeQ,导致晶体管截止而产生失真。饱和失真是在输出时产生的，当Q点过高时，Ib为不失真的正弦波，在输出特性曲线上会发现输入信号正半周靠近峰值的某段时间内晶体管进入饱和区，导致Ic产生顶部失真。

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刘航宇 5年前
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2021-08-05
[模电]最大不失真输出电压Uom研究最大不失真输出电压： Uom=min{Uceq-Uces,Vcc-Uceq}(此为峰值，计算有效值还需除1.414), 其中若Uom=Uceq-Uces，则晶体管先出现饱和失真若Uom=Vcc-Uceq，则晶体管先出现截止失真若先出现截止失真的情况Uom=Icq*（Rc//RL）(此为峰值，计算有效值还需除1.414) Icq*（Rc//RL）在有负载RL的情况下使用 Vcc-Uceq在分析静态工作点且有输出端耦合电容的情况下使用例题图片解析：错误分析：Uom=（Uceq-Uces）/√2≈3.7v 正确解析：静态工作点：Ic=(Vcc-Uceq)/Rc=(12V-6V)/3K=2mA 交流负载电阻：Rc`=Rc//RL=3K//3K=1.5K 负半周至多工作到截止，也就是说其变化量至多是：ΔIc=Ic-0=Ic=2mA 那么输出信号的峰值是：Uop=ΔIcRc`=2mA*1.5k=3V 所以输出信号的有效值是Uo=0.707Uop=0.7073≈2V Uom=（Uceq-Uces）/√2与Uom=（Ic*Rc//Rl）/√2区别：一个是三极管由静态工作点向饱和方向变化时可以达到的理论幅度。另一个是三极管向截止方向变化时可以达到的理论幅度。所以应该选计算结果两者中小的那个。结语放大电路的失真是由截止失真和饱和失真组成，所以最大不失真电压既要考虑到输出信号负半周的饱和失真，也得考虑到正半周的截止失真。

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刘航宇 5年前
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【高数】级数 ∑ 1/[nln(n)] 发散的证明不少人对级数收敛和数列收敛，总是搞混淆，数列1/nlnn收敛，也就是说1/nlnn是有极限的，极限就是0 但是题目说的是Σ1/nlnn不收敛也就是1/2ln2+1/3ln3+1/4ln4+……1/nlnn……这样加起来，不收敛，没有极限。就和著名的调和级数Σ1/n 数列1/n是收敛的，有极限的，极限是0 但是调和级数Σ1/n=1+1/2+1/3+……1/n+……却是不收敛的，没有极限的。同样道理思路通项趋于0是级数收敛的必要条件。这个级数用比较比值根值都不好做，把an写成f(x)函数，在2到+∞积分(减去有限性不影响敛散性）。积分的敛散性与级数的敛散性相同。最后算出来出来是+∞，则积分发散，则级数发散。图片图片推广：图片

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刘航宇 5年前
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2021-08-03
【线代】初等矩阵的逆矩阵求解技巧-免计算 1、行交换（列交换）的初等矩阵，逆矩阵还是本身； 2、某一行（或列）乘以一个倍数的初等矩阵，逆矩阵，是这一行（或列）除以这个倍数的初等矩阵； 3、某一行（或列）乘以一个倍数，加到另一行（或列）的初等矩阵，逆矩阵，是这一行（或列）乘以这个倍数的相反数，加到另外那一行（或列）的初等矩阵。初等矩阵的逆矩阵其实是一个同类型的初等矩阵（可看作逆变换）。例如，交换矩阵中某两行（列）的位置；用一个非零常数k乘以矩阵的某一行（列）；将矩阵的某一行（列）乘以常数k后加到另一行（列）上去。例题图片

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刘航宇 5年前
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2021-08-02
引导冥想 | 20分钟缓解焦虑减压正念回归平静欢迎来到今天这个帮助你缓解压力和焦虑的引导冥想，如果你可以养成有规律地定期做这类练习，它所产生的成效会随着时间生长，开花，结果，你的身心健康状态会逐渐提高和改善。在这个过程中，我们每个人的经历和感受都会不尽相同，所以不用一味和别人做比较，或必须要达到某个状态的执念；我们需要做的就只是善待自己，给自己充足的耐心。缓解焦虑的重点就是要回到我们所在的当下。在这个高速时代，我们好像都已经习惯了为自己制定各种计划，却在不知不觉中一点点透支着自己的身体和心灵，直到它们已经疲惫不堪，向你发出求救信号……

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刘航宇 5年前
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2021-08-01
【概论】一阶矩、二阶矩原点矩，中心矩区别与概念一阶矩就是期望值换句话说就是平均数(离散随机变量很好理解，连续的可以类比一下)。举例：xy坐标系中，x取大于零的整数，y1, y2, ...,yn 对应x=1, 2,..., n的值，现在我要对y求期望，就是所有y累加除以n，也就是y的均值。此时y的均值我可以在坐标系中画一条线，我会发现所有的点都在这条线的两边。如果是中心矩我就会用每个值减去均值z=yn-y均作为一个新的序列z1, z2, ..., zn，再对z求期望，这时我会发现均值为零(即在坐标轴y上)。一阶矩只有一阶非中心矩，因为一阶中心矩永远等于零。二阶(非中心)矩就是对变量的平方求期望二阶中心矩就是对随机变量与均值(期望)的差的平方求期望。为什么要用平方，因为如果序列中有负数就会产生较大波动，而平方运算就好像对序列添加了绝对值，这样更能体现偏离均值的范围。原点矩，是随机变量到原点的距离（这里假设原点即为零点）。中心矩则类似于方差，先要得出样本的期望即均值，然后计算出随机变量到样本均值的一种距离，与方差不同的是，这里所说的距离不再是平方就能构建出来的，而是k次方。一，二阶中心距，也叫作方差，它告诉我们一个随机变量在它均值附近波动的大小，方差越大,波动性越大。方差也相当于机械运动中以重心为转轴的转动惯量。二，三阶中心距告诉我们一个随机密度函数向左或向右偏斜的程度。三，在均值不为零的情况下，原点距只有纯数学意义。四，A1,一阶矩就是 E(X),即样本均值。具体说来就是A1=(西格玛Xi)/n ----（1） A2,二阶矩就是 E(X^2)即样本平方均值 ,具体说来就是 A2=(西格玛Xi^2)/n-----(2) Ak,K阶矩就是 E(X^k)即样本K次方的均值,具体说来就是 Ak=(西格玛Xi^k)/n，-----(3) 五，矩估计法大概步骤如下： 1 根据分布律或者分布函数，概率函数，计算EX或者EX2,其中含有未知参数a。 2 令样本的一阶矩A1等于EX（二阶矩A2等于EX^2)。 3 由2得到 a的表达式子，此式子中含有A1(A2,...),而A1,A2表达式如上(1),(2)，（3）所示. 该含有 A1,A2,..Ak的表达式称为估计量，如果把样本具体值带入，即可得a的估计值。图片

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刘航宇 5年前
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晶体管的工作状态、类型、发射结正偏集电结反偏判断

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刘航宇 5年前
0 4,199 6

2021-07-31
（1）对于NPN型的晶体管它的集电区是N型半导体，基区是P型半导体，集电区是N型半导体。所以NPN型晶体管的发射结正偏，指的是基极（P型半导体）接高电位，发射极（N型半导体）接低电位，发射结加正向电压，发射结处于导通状态； NPN型晶体管的集电结反偏，指的是集电极（N型半导体）接高电位，基极（P型半导体）接低电位，集电结加反向电压，集电结处于截止状态；（2）晶体管的发射结正偏集电结反偏时，晶体管处于放大状态。例如：基极的电位为0.7V，发射极的电位为0V，集电极的电位为3.7V，此时，发射结所加的正向电压为0.7V，发射结正偏，而集电结所加的反向电压为3V，集电结反偏，晶体管处于放大状态图片 NPN管判断方法如下：截止状态：Ube<0.7V；（如果是锗管du则Ube<0.3V）放大状态：Ube>0.7V，Uce>Ube；饱和状态：Ube>0.7V，Uce<Ube。 PNP管判断如下：截止状态：Ueb<0.7V；（如果是锗管则Ueb<0.3V）放大状态：Ueb>0.7V，Uec>Ueb；饱和状态：Ueb>0.7V，Uec<Ueb。已知三级电压下判断类型看哪两个极只差是0.7（硅管）或者0.3（锗管）（这是导通电压）这两个极必然du是连接发射结zhi的连个极，剩下的是集电极。然后基极的电位是处于中间的，最后那个就是发射极。当Ue>Ub>Uc，PNP型。当Uc>ub>ue，NPN型。 bec如何判断，半圆柱三极管，3个引脚都在一条线上。将平面面向自己从左到右e b c
2021-07-30
[线代]二次型的标准型，规范型的区别区别： 1.平方项的系数不同标准型的系数在采用正交变换的时间,平方项的系数常用其特征值。规范型中平方项的系数都是 1 或 -1,正负项的个数决定于特征值正负数的个数 2.转换方式不同。标准形到规范形,只需将标准型中平方项的正系数改为 1,负系数改为 -1，正系数项放在前。规范型反之即可。图片

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刘航宇 5年前
1 3,320 4
2021-07-28
P型半导体和N型半导体带什么电？不论是P型还是N型半导体,它们本身是不带电的,也就是保持电中性. 区别只是载流子的浓度不同,P型中的空穴浓度大于自由电子浓度,而N型中自由电子浓度远大于空穴浓度. “P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主 “N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。图片

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刘航宇 5年前
0 2,259 2
2021-07-28
【高数|信号】分式如何拆项？高次比低次长除法低次比高次 4个最简类型图片案例问题：图片在高等数学积分被积函数中或者信号、电路中拉普拉斯反变换遇到分母是因式，次方低于分子次方如何拆项？先看拆项格式图片例题最后一步是拉普拉斯反变换，非有关工程技术人员领域可以不看图片图片图片图片案例解答：图片

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刘航宇 5年前
0 1,324 2
2021-07-26
【线代】拉普拉斯展开快速秒杀行列式! 由于网上有关文章找不到或者描述过于难以理解，我决心自己出一个文章以备学习。目录行列式拉普拉斯展开定义有关习题行列式拉普拉斯展开定义图片有关习题图片

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刘航宇 5年前
4 5,110 19
2021-07-22
【高数】偏导数连续的证明步骤！分为4步走，其中第二步的公式法求后，到第三步求xy趋近x0y0一般可以用放缩配合夹逼准则，也可以看成一个整体或者等价无穷小均可图片图片图片图片图片

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刘航宇 5年前
0 2,156 2

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那年今日

2021 08/04 【高数】级数 ∑ 1/[nln(n)] 发散的证明

最新回复

。。
2026-06-22

好的，谢谢૮₍◜ෆ◝.₎ა
。。。。
2026-06-22

请问引脚面对自己还是朝下
Lapse
2026-05-30